产品别名 |
汉中太阳能路灯厂家,汉中太阳能路灯价格,汉中太阳能路灯 |
面向地区 |
品牌 |
其它 |
|
光源类型 |
led |
材质 |
不锈钢 |
电压 |
12.0 |
防护等级 |
IP65 |
加工定制 |
是 |
类型 |
树脂太阳能灯 |
当今的汉中太阳能路灯中,大多数光源都是使用的LED作为汉中太阳能路灯的光源,LED光通量,照明效果,亮度,使用寿命都是汉中普通太阳能路灯的很多倍,所以现在我们江苏斯美尔光电科技使用的基本都是汉中LED太阳能路灯,当然如果您对照明的光源有要求,或者甲方单位对照明光源有要求,我们也可以为您特殊的订制。但是现在很多汉中太阳能路灯都是做LED光源的,汉中太阳能路灯厂家江苏斯美尔,希望您给你一个满意的产品,满意的汉中太阳能路灯价格。
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在太阳能路灯系统中,控制器是整个系统的核心部分。太阳能控制器全称为太阳能充放电控制器,是用于太阳能发电系统中,控制一路或多路太阳能电池方阵对蓄电池充电以及蓄电池给太阳能逆变器负载供电(即放电)的自动控制设备。目前厂家已经生产出来了一系列专为小、中型的光伏发电系统使用的各种太阳能控制器。太阳能控制器通常有6个标称电压等级:12V、24V、48V、110V、220V、600V。太阳能控制器的功能,情况加以限制。在温差较大的地方,控制器应具备温度补偿功能,同时能依照负载的电源需求来控制太阳能电池和蓄电池对负载电能的输出。由此太阳能控制器的作用是非常重要的,其具体作用如下。0)防过充电,当电池充满后要停止对电池进行充电,如果过多地充电就会有大量的气体析出,这时正极板活性物质遭受大量的气体冲击,这种冲击会促进活性物质脱落;此外,正极板栅合金也遭受严重的阳极氧化而腐蚀,所以电池过充电时会使蓄电池应用期限缩短。防过放电,当蓄电池的电量不足时要停止对外放电,过深地放电也会影响到电池的容量及寿命。因为正极活性物质二氧化铅本身的互相结合不牢,放电时生成硫酸铅,充电时又恢复为二氧化铅。由于两者膨胀系数不同,必然会在不断充放电时,体积反复收缩和膨胀,就使二氧化铅逐渐松弛,易于脱落。因此,放电深度越深,其循环寿命越短。防反充电,防止黑天或阴天没有太阳光照时,蓄电池对太阳能电池放电(反充电),这样不仅消耗电能,而且还会损害太阳能光伏发电系统。温度补偿,蓄电池温度低,硫酸电解液的黏度和电阻都会增大,参加反应的原子扩散困难,浓度差急剧增加,电阻增大,使活性物质内部的化学反应难以进行,蓄电池容量减小。所以需要太阳能控制器来监视电池的温度,对充放电值进行修正,让电池工作在理想状态。光控,多用于自动灯具,当环境足够亮时,控制器就会自动关闭负载输出;而环境暗下来后又会自动启动,使负载运行,以实现自动控制的功能。防短路,防止负载、控制器、逆变器和其他设备内部短路的功能。防电池极性接反,防止太阳能电池板或电池方阵、蓄电池极性接反的功能。防雷,防雷保护功能。自检,当控制器受到外界环境的影响或人为操作不当时,控制器可以自检,让人知道控制器是否完好,减少很多不必要的工时。
太阳能路灯根据配置(所需亮灯效果)报价,欢迎致电咨询!
TEL:
汉中LED太阳能路灯
今朝市面上的太阳能电池分为非晶硅和晶体硅。此中晶体硅又能够或者分为多晶硅和单晶硅。从三种资料的光电转换效力来看是:单晶硅(*可达17%)>多晶硅(12~15%)>阁下)。但晶体硅(单晶硅和多晶硅)的在弱光下基本上不会有电流发生,非晶硅弱光型好(在弱光下能量本来就很少)。以是综合来看,宜用单晶硅或多晶硅太阳能电池资料。每一种配件都邑由于自己资料和感化分为三六九等,那末辨别他们曩昔先要从表面停止察看。5米太阳能路灯电池板有分单晶硅跟多晶硅。从色彩上说都是蓝色,然则单晶的要深一些,多晶的色彩要更紊乱一些。从都雅度上来讲确定是单晶要优于多晶。电池片是全体切割而成的,要仔细察看能否有分裂的电池片停止拼接而成。这就属于以次充好,也是很多厂家报价的缘故原由原由。刚开端应用能够或者不会有多大差异,然则5米太阳能路灯光阴长了就会断开影响全体体系的应用。5米太阳能路灯电池板的上部有一层钢化玻璃,必要察看能否平坦无异物。玻璃表面察看能否有硅胶,假如有就尽快清算。察看边框能否有人力手工打框的陈迹,由于手工不像机械打的力度平均,慎密水平不一样,那末影响的也是坚固机能。人工部门必要反省的便是焊接点,察看能否有漏焊,看电池分列能否规整。*便是察看接线盒的坚固水平,大抵便是从这些细节停止察看比拟太阳能路灯体系中重要的一个配件电池板有着相当重要的位置,施展着的感化,它是全体体系一切工作流程的来源,没有它一开端的发电就没有前面体系的失常照明。它是一切进程中的提高,电池板颠末进程接收光能来转换成电能来被应用。
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绒面制备,有效的绒面结构,有助于提髙电池的性能。由于人射光在硅片表面的多次反射和折射,了光的吸收,其反射率很低,主要体现在短路电流的。所谓绒面结构的制备,即利用化学腐蚀剂对硅片表面进行绒面处理。如果以(100)面作为电池的表面,经过这些腐蚀液的处理后,硅片表面会出现(111)面形成的正方锥。这些正方锥像金字塔一样密布于硅片的表面,看来像丝绒一样,因此通常称为绒面结构,又称为表面织构化,经过绒面处理后,了入射光投硅片表面的机会,次没有被吸收的光被折射后投硅片表面的一晶面时仍然可能被绒面结构光的反射吸收。这样可使人射光的反射率到10%以内,如果镀上一层减反射膜,还可进一步。扩散制结,P_n结是晶体硅太阳能电池的核心部分。没有P-n结,便不能产生光电流,也就不成其为太阳能电池。因此,p-n结的制造是主要的工序。制结就是在一块基体材料上生成导电类型不同的扩散层。可用多种制备晶体硅太阳能电池的P-n结,主要有热扩散法、离子注入法、薄膜生长法、合金法、激光法和高频电注人法等。通常多采用热扩散法制结。此法又有涂布源扩散、液态源扩散和固态源扩散之分。其中氮化硼固态源扩散,设备简单,操作方便,扩散硅片表面状态好,P-n结面平整,均匀性和重复性优于液态源扩散,适合于工业化生产。
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薄膜硅太阳能电池设计上的考虑,薄膜硅太阳能电池在设计时,考虑到光学及电子上的需求,以及材料的特性。在光学上的考虑主要是如何太阳能电池对光线的留滞能力,如何让薄膜也能到接近厚晶片一样的留滞能力。就如同的厚晶片太阳能电池一样,在薄膜硅太阳能电池上也需要利用表面的粗糙化处理,去其对光线的吸收能力。至于在电子设计上,薄膜硅太阳能电池所面临的挑战远比厚晶片太阳能电池困难,这是因为薄膜硅太阳能电池的结构不具备三维空间的均匀性。在薄膜硅太阳能电池上,载子的再结合程度通常是比较高的,这主要是受到杂质浓度、晶界、薄膜界面等的影响。杂质的效应,可以使用A1的去疵作用来,晶界的效应则要靠晶粒的大小去。具挑战的地方是如何钝化薄膜与基板间界面的活性,尤其当基板具有导电性时,这种挑战更大。为了解释薄膜硅太阳能电池的设计,我们用简单的太阳能电池结构来说明。在这样的结构中,使用的是玻璃基板,在它的上面镀有一层金属,如铝。在镀有铝的玻璃基板上,先长上一层P型的a-S域Mc-Si薄膜,这层薄膜可利用晶粒技术去其晶粒大小。这层P型硅薄膜在整个太阳能电池的电路上,是被当成基极的。然后在P型硅薄膜上方再长上一层N型pc-Si薄膜,形成P-N接合。通常这层薄膜是在低温下沉积形成的,这点与的厚硅晶片太阳能电池所使用的扩散是不同的。在这样的结构里,特别的地方是所采用的铝层,它除了可以作为扩散的屏障层外,也参与了晶粒的,此外它可以作为杂质的去庇层,也提供了黑体反射作用来光线的留滞能力。然而在设计具有更高能量转换效率的薄膜硅太阳能电池时,可以考虑加入以下几种特殊的结构:使用粗糙化处理的界面,以其对光线的留滞能力;使用背面的光学反射层,以其对光线的留滞能力;导入可以薄膜硅的去疵机构,如使用铝层及磷扩散。
汉中LED太阳能路灯
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